応用：メモリ

単語カード

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• ウェアレベリング

  Wear Leveling。メモリデバイス内の異なるメモリセルやブロックにデータを均等に分散して書込む方法
• ライトバック

  CPUから書込み命令が出たときにキャッシュメモリだけに書き込み、主記憶への書き込みはキャッシュメモリからデータが追い出されるときに行う方式。高速に書き込みできるがデータの整合性を保つための制御が余分に必要になる。(覚え方)キャッシュメモリに書いた段階で処理を戻す(バック)
• ライトスルー

  CPUから書き込む命令が出たときにキャッシュメモリと同時に主記憶にも書き込む方式。データの整合性は得られるが処理速度は遅い。(覚え方)キャッシュメモリを透過(スルー)してメインメモリにも書く。
• キャッシュメモリのフルアソシアティブ方式

  主記憶のブロックをキャッシュメモリ上のどのブロックにも格納することができる。主記憶上の格納位置としてキャッシュメモリ上の格納位置とをどのように対応させるかを決める方式の一つ。
• キャッシュメモリのダイレクトマップ方式

  ハッシュ関数などにより、主記憶のアドレスからキャッシュメモリのブロック番号が一意に定まる方式。主記憶のブロックとキャッシュメモリのブロックが一対一で対応する。主記憶上の格納位置としてキャッシュメモリ上の格納位置とをどのように対応させるかを決める方式の一つ。
• キャッシュメモリのセットアソシエイティブ方式

  キャッシュメモリのブロックを連続した一定数ごとにまとめた"セット"を用意し、主記憶のアドレスから対応する"セット"が一意に定まり、そのセット内のブロックならどこでも格納できる方式。ダイレクトマップとフルアソシエイティブの中間的な存在で、現在ほぼすべてのCPUアーキテクチャで採用されている。主記憶上の格納位置としてキャッシュメモリ上の格納位置とをどのように対応させるかを決める方式の一つ。
• メモリインタリーブ

  主記憶を複数のバンクに分けて，CPUからのアクセス要求を並列的に処理できるようにする。並列アクセスすることで、実行アクセス時間を短縮する。
• ハミング符号

  情報ビットに検査ビットを付加することで2ビットまでの誤りを検出し、1ビットの誤りを自動訂正できる。（補足）ハミング〜考案した人の名前
• 相変化メモリ 相変化(そうへんか)

  カルコゲナイド系合金の結晶状態と非結晶状態(アモルファス)における電気抵抗の差を利用した不揮発性メモリ。二つの状態は電気的に移行可能なので内容の書き換えが可能。不揮発〜電源を消しても記録が残る性質
• フラッシュメモリ

  電気的に書き換え可能であり、不揮発性の半導体メモリ。※USBメモリやSDカードに使われている。
• MMU

  Memory Management Unit(メモリ管理機構)は、主記憶を管理するハードウェア機構で、アドレス変換機能や保護機能、キャッシュ制御機能、およびバス調停機能などを持っている。
• 記憶媒体の記録層として有機色素を使い、レーザー光によってピットと呼ばれる焦げ跡を作ってデータを記録する光ディスクはどれか。

  CD-R (Compact Disc Recordable)
• ライトアンプリフィケーション

  消去と書き込みをブロック単位で行うフラッシュメモリやSSDの性質上、メモリセルに対する必要以上の書き込みが発生してしまう現象。フラッシュメモリの寿命を縮める要因となる。
• CPUとGPUの違い

  CPUはCentral Processing Unit(中央演算装置)で演算と制御の役割を担う。汎用的な処理を行う目的のために作られているため、複雑な計算を得意とする。GPUはGraphics Processing Unit(画像演算装置)でパソコンにおける画像処理の専門家。並列処理に優れており、複数のタスクを同時にこなすことができるため、高速に画像の処理を行える。
• ユニファイドメモリ方式

  CPUとGPUで一つの主記憶を共有して使う方式。
• NAND型フラッシュメモリの特徴 データの書き込み、読み出し、消去の単位に関する特徴

  データの書込み及び読出しはページ単位、データの消去はブロック単位。
• NOR型フラッシュメモリの特徴

  バイト単位のランダムアクセスによる読み出しが可能、NAND型に比べて書き込みは低速。

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