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半導体は主に__で作られているシリコン
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__型半導体は最外殻電子が__個の__を少量ドーピングしたもの 電子がキャリアとなるn 5 P
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__型半導体は最外殻電子が__個の__を少量ドーピングしたもの 正孔がキャリアとなるp 3 B
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n型半導体とp型半導体の接合面にできる電位差の名称とその大きさオフセット電圧 0.7
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電流を一方方向に流す半導体素子ダイオード
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ダイオードの逆方向バイアス時に流れる非常に小さな電流リーク電流
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電流を流すと発光する半導体素子発光ダイオード (LED)
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光センサは__を印可することで大きな__を形成し、光がそれに入射した時の変化を検知逆方向電圧 空乏層
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既存の論理回路をより微細化・省電力化するためには__半導体のみで構成するのがよいCMOS
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最新のiPhoneには約__億個の半導体が使われている200
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半導体は世界で__兆円の産業規模である100
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発光ダイオードは__％以上の高い光変換効率を誇る40
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P側に正電圧、N側に負電圧を印加する接続方法順方向バイアス
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P側に負電圧、N側に正電圧を印加する接続方法逆方向バイアス
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電流の担い手となる電子や正孔キャリア
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電子信号のスイッチングや増幅に用いられる半導体素子トランジスタ
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トランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを放出する端子エミッタ (Emitter)
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トランジスタの3つの端子の一つで、ベース電流によってコレクタ電流を制御する端子ベース (Base)
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トランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを受け取る端子コレクタ (Collector)
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電子が多数キャリアであるバイポーラトランジスタの形式NPN型トランジスタ
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正孔が多数キャリアであるバイポーラトランジスタの形式PNP型トランジスタ
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ベースを共通端子として入出力信号を扱うトランジスタ回路構成ベース接地
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エミッタを共通端子として入出力信号を扱うトランジスタ回路構成エミッタ接地
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コレクタを共通端子として入出力信号を扱うトランジスタ回路構成コレクタ接地
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10~100 10~100 1 10~100 同位相 逆位相 高い 低い 低い 低い 高い 高い -
デバイス上の部品数が約2年ごとに2倍になるという予測ムーアの法則
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トランジスタの小信号特性を表すパラメータ群hパラメータ
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hパラメータ 入力インピーダンス 帰還率 増幅率 出力アドミッタンス -
電界効果を利用して電流を制御するトランジスタFET (Field-Effect Transistor)
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FETの別名ユニポーラトランジスタ
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電流を制御する素子で、高電圧に耐える特徴があるバイポーラトランジスタ
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接合型電界効果トランジスタJFET
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金属酸化膜半導体電界効果トランジスタMOSFET
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電力効率が高く高速で、コンピュータのロジック回路に適しているMOSFET
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ユーザーがプログラム可能な汎用集積回路FPGA (Field-Programmable Gate Array)
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特定の用途に特化して設計された集積回路ASIC (Application-Specific Integrated Circuit)
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複数の機能を統合した大規模集積回路システムLSI
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半導体を使用し、コヒーレントな光を放出する装置半導体レーザー
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半導体デバイスにおいて、発熱によりリーク電流がさらに増加し、素子が破壊される現象熱暴走
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