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ユニポーラデバイスとバイポーラデバイスの違い動作に関わるキャリアが一一種類か二種類か
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電界効果トランジスタを英語で書きなさいField Effect Transistor
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ゲートがショットキー接合である電界効果トランジスタMESFET
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ゲートに絶縁膜が使われている電界効果トランジスタMOSFET
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ゲートがpn接合である電界効果トランジスタJFET
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電界効果トランジスタ内部でキャリアが移動する領域チャネル
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MOS構造を考える。前問の領域に集積されるキャリアは多数キャリア、少数キャリアのいずれか少数キャリア
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n型半導体を使ったMOS構造にチャネルを形成するためのゲート電圧は正か負か、キャリアの種類ゲート電圧：正、キャリアの種類：自由電子
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金属／絶縁体／p型半導体のMOS構造でゲートに負電圧を印加したときに半導体に集積するキャリアとその状態の呼称正孔、蓄積状態
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空乏状態にある金属／絶縁体／p型半導体のMOS構造で、絶縁体と半導体の境界（半導体側）には何が存在するか空乏層
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反転状態にある金属／絶縁体／p型半導体のMOS構造で、フェルミ準位EFと真性フェルミ準位Eiの大小関係EF < Ei
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強い反転状態にある金属／絶縁体／p型半導体のMOS構造で、エネルギーバンドの曲がり具合(Vs)とEF, Eiとの関係qVs > 2 (EF - Ei)
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無バイアスのMOS構造に意図せずに蓄積する負電荷は、MOS構造のどの部分に存在するか半導体の中
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MOS構造に蓄積した電荷を打ち消すために必要なゲート電圧を何と呼ぶかフラットバンド
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ｂ -
CV特性について、COXとあるのは、どの部分の静電容量のことか答えなさい絶縁体の静電容量
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CV特性について、図中の黒点（●）の電圧は何と呼ぶかしきい値電圧
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CV特性について、ゲート電圧を高くしても(d)点で静電容量がCOXに戻らないのは、周波数が高い場合、低い場合のどちらか高周波
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pチャネルMOSFETを動作させるゲート電圧とドレイン電圧を表せVG < 0, VD <0
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nチャネルMOSFETの動作に係わるキャリアの種類と移動方向自由電子、ソースからドレインの方向
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入力特性 -
グラフに表示されている部分でゲート電圧を変化させてもドレイン電流が変化しない領域は、MOS構造がどのような状態にあるときか答えなさい。ただし、MOS構造は理想的で、無バイアスでフラットバンドの状態とする空乏層
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グラフで、ドレイン電圧を大きくすると、特性はどのように変化するか赤→緑に変わる
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線形領域 -
ドレイン電圧を増やしても、ドレイン電流がほとんど増加しない領域遮断領域
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ドレイン電流が飽和し始める箇所ピンチオフ（点）
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前問の状態が起こるとき、チャネルが消失している部分はどこかドレイン近傍
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緑 -
ゲート電圧を加えないとドレイン電流が流れないトランジスタは、デプレッション型、エンハンスメント型のどちらかエンハンスメント形
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一般的なJFETの動作モードデプレッション形
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nチャネルJFETを動作させるためのゲート電圧、ドレイン電圧の極性を答えなさいVG < 0, VD > 0
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JFETのドレイン電流が飽和するとき、チャネルはどのような状態になっているかチャネルが空乏層で閉ざされ、電流の流れが制限される
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nチャネルMESFETを動作させるためのゲート電圧、ドレイン電圧の極性VG < 0, VD > 0
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一般のMESFETの動作速度が制限される（遅くなる）原因は何かチャネルの不純物によりキャリアが散乱される
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HEMTの動作速度が速い理由は、素子構造のどの部分をキャリアが移動するためか答えなさい高純度半導体
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FETの英語で書けField Effect Transistor
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ゲートが半導体と金属のショットキー結合だけで構成されるFETの名称MESFET
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FETのゲート端子の役割トランジスタのon/offを制御する
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FETのドレイン端子の役割で正しいものピンチオフを起こすことでトランジスタの電流を制限する
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JFETおよびMESFETの動作モードはデプレッション型、エンハンスメント型のどちらかデプレッション型
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構造の工夫でMESFETの動作速度を向上させた素子を何と呼ぶかHEMT
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MOS構造は3種類の物質で構成されている。M, O, Sのそれぞれが示す物体M: Metal, O: Oxide, S: Semiconductor
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MOS構造に形成されるチャネルに蓄積されるキャリアは多数キャリアか少数キャリアか少数キャリア
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p型半導体を使ったMOS構造にチャネルを形成するために加えられるゲート電圧の極性正
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金属/絶縁体/p型半導体のMOS構造でゲートに正電圧を印加した場合、ゲートに集積されるキャリアは正孔、自由電子のどちらか自由電子
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金属/絶縁体/p型半導体のMOS構造を空乏状態にするために印加するゲート電圧の極性正
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金属/絶縁体/p型半導体のMOS構造で半導体のフェルミ準位と真性フェルミ準位の関係がEf > Eiのとき、蓄積状態、空乏状態、反転状態のどの状態であるか反転状態
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MOS構造の酸化物の中に蓄積されやすい電荷は正電荷と負電荷のどちらか正電荷
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MOSFETのゲートには電流（ゲート電流）がほとんど流れない理由（ゲートの構造に注目）ゲート電極と基板の間には酸化膜が挟まっており、この酸化膜は非常に高い絶縁性を持つため。
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nチャネルを実現するためには、ゲート部の半導体の伝導型はn, pのどちらかp型
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pチャネルMOSFETのゲート部分に存在する大多数の不純物はアクセプタかドナーかドナー
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nチャネルMOSFETが蓄積状態にあるとき、酸化物と半導体界面に存在するキャリアは自由電子と正孔のどちらか正孔
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pチャネルMOSFETが空乏状態にあるとき、ゲート電圧の極性負
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nチャネルMOSFETが反転状態にあるとき、反転層はMOS構造のどこに形成されているか絶縁体と半導体の間
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nチャネルMOSFETが強い反転状態にあるとき、酸化物と半導体界面における半導体のフェルミ準位EFと真性フェルミ準位Eiの大小関係EF > Ei
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フラットバンド電圧が0VのMOSFETの動作モードエンハンスメント型
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MOS構造を作製する際に意図せずに負電荷が混入することがある場所界面
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MOS構造はコンデンサとみなすことができる。無バイアスの理想MOS構造において静電容量が生じる場所酸化膜
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ゲート電圧により静電容量が変化する原因ゲート電圧を大きくすると空乏層が大きくなり、それにより静電容量が変化するため。
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フラットバンド電圧が正のとき、MOS構造に蓄積されている正電荷と負電荷の数の大小関係負電荷のほうが多い
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静電容量の最大値がMOS構造のどの部分の静電容量に相当するか絶縁体（酸化膜）
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静電容量が減少する理由電圧を加えることで空乏層が形成され、静電容量が減少するため。
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閾値電圧を定める方法空乏状態時の線を延長し、静電容量が最小値となる箇所に平行な線を引き、その交点が閾値電圧。
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ゲート電圧を増加させるとドレイン電流が急激に増大する。このときのゲート電圧の名称閾値電圧
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ピンチオフ直後、チャネルが消失しているのはどこかドレイン側
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HEMTはどのようにして高速化を実現しているかキャリアが高純度半導体領域を通ることで散乱を防ぎ、高速化を実現している。
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