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真性半導体ドーピングをしていない半導体
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真性半導体不純物を添加していない半導体
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真性半導体i型ともよばれる半導体
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不純物半導体ドーピングをした半導体
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不純物半導体不純物添加でキャリアを増やした半導体
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Si現在集積回路などに主流として用いられている半導体材料
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SiIV族半導体で融点1400°C、 Eg 1.1eVの半導体材料
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Si資源として地上に最も豊富に存在する半導体材料
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Geトランジスタ開発初期に用いられていた半導体材料
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GeIV族半導体で940°C、 Eg 0.67eVの半導体材料
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GaAs化合物半導体で移動度が高く衛星放送受信機などに多く用いられている半導体材料
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GaAsIII-V族半導体、直接遷移で、超高周波デバイスや発光デバイスに広く用いられている半導体材料
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GaNIII-V族半導体で青色LEDに多く用いられている半導体材料。
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p型半導体半導体にIII族元素(もしくはⅠ,Ⅱ族)をドーピングした半導体。
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p型半導体半導体にドーピングしてホールをキャリアとした半導体。
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n型半導体半導体にV族元素もしくはⅥ族)をドーピングした半導体。
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n型半導体半導体にドーピングして電子をキャリアとした半導体。
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ドナー半導体にドーピングすると電子を供給する不純物
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ドナー半導体にドープするⅤ族(orⅣ族)元素
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アクセプタ半導体にドーピングするとホールを供給する不純物
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アクセプタ半導体にドープするIII族(orⅡ族)元素
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少数キャリア半導体の中の2種のキャリア(電子、ホール)で少ない方
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多数キャリア半導体の中の2種のキャリア(電子、ホール)で多い方
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状態密度バンド図において、あるエネルギーでの準位の密度
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状態密度半導体結晶などで、あるエネルギーにおける電子軌道の密度
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マクスウェル・ボルツマン分布空気中の気体分子などのエネルギー分布を表わす確率分布
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マクスウェル・ボルツマン分布半導体中キャリアのエネルギー分布で、EFより充分大きなエネルギーでの近似分布
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フェルミ・ディラック分布原子や結晶の電子のように取れるエネルギー(軌道)に個数制限がある場合の分布
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フェルミ・ディラック分布半導体での電子・ホールの分布関数
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フェルミ準位半導体の分布関数で電子とホールが半々になるエネルギ一レベル。
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フェルミ準位バンド図で電子とホールの境目となるエネルギーレベル
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フェルミ準位ノンドープの半導体ではバンドギャップの中央、 ドープ で上下に動く準位
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(エネルギー)バンド図結晶原子の電子軌道の存在とエネルギーの関係 を図的に示したもの。
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(エネルギー)バンド図半導体など電気材料中で電子とりうるエネルギー や分布を図的に示したもの。
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(エネルギー)バンド図半導体デバイスの動作をキャリアのエネルギーと 分布状態で説明するのに使う図。
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伝導帯バンド図でバンドギャップの直上のバンド
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伝導帯バンド図で主に電子が移動するバンド
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価電子帯バンド図でバンドギャップの直下のバンド
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価電子帯バンド図で主にホールが移動するバンド
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価電子帯バンド図で下のバンドから電子を埋めて行って、 最後の電子 が埋まっているバンド
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バンドギャップバンド図で伝導帯と価電子帯の間の電子・ホールが入 れないエネルギー範囲
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バンドギャップ半導体・絶縁体原子で最外殻の価電子と一つ外側の空き 軌道の間をあらわすエネルギー差
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有効質量半導体中の電子はまわりの原子の影響で、 真空中よりも 加減速しやすい、もしくはしにくくなり、見かけの重さが変わったように見える。 その重さとは。
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ドリフト電流電界印加で移動するキャリアによる電流
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ドリフト電流半導体中を流れる電流で、 電圧に比例する電流
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ドリフト電流半導体中の電流で、 オームの法則にしたがって流れる電流
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移動度電界とそれにより加速されるキャリアの速度の比
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移動度大きいほど、同じ電界でもキャリアの移動速度が大きくなる。
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拡散電流半導体中でキャリア密度に差があるときに流れる電流
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拡散電流pnダイオードの空乏層に注入されたキャリアが移動する場合 の電流
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連続の式半導体中のキャリアの移動を電界、 濃度、 再結合、 生成との 関係であらわした微分方程式
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ホール効果半導体中にキャリアが流れていてさらに磁界を加えたとき、 半導体側面に電界が現れる現象
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ホール効果半導体による磁気センサーや、 半導体の特性 (濃度、移動度) の測定に用いられる物理現象
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空乏層半導体に電界が印加され、 キャリアがほとんど無くなった領域
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空乏層pn接合面や逆方向電圧を印加したMOS構造でキャリアが無い 部分
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整流特性pnダイオードの電流電圧特性のように一方向にしか電流が 流れない特性
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なだれ降伏pnダイオードの降伏現象で、高電界で加速されたキャリアが原子に衝突、電離でキャリア発生、を連鎖的に繰り返すこと
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なだれ降伏pnダイオードの降伏現象で、比較的高電圧で起こる現象
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なだれ降伏pnダイオードの降伏現象で、超高感度光センサにも利用される現象
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ツェナー降伏pnダイオードの降伏現象で、高電界でトンネル効果が起こる現象
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ツェナー降伏pnダイオードの降伏現象で、一定電圧を作るのに活用されるダイオードの由来となった現象。
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ツェナー降伏pnダイオードの降伏現象で、比較的低電圧で起こる現象
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