電子回路共同編集
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kkmc
2025年06月02日
カード39
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半導体は主に__で作られている
シリコン
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__型半導体は最外殻電子が__個の__を少量ドーピングしたもの 電子がキャリアとなる
n 5 P
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__型半導体は最外殻電子が__個の__を少量ドーピングしたもの 正孔がキャリアとなる
p 3 B
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n型半導体とp型半導体の接合面にできる電位差の名称とその大きさ
オフセット電圧 0.7
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電流を一方方向に流す半導体素子
ダイオード
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ダイオードの逆方向バイアス時に流れる非常に小さな電流
リーク電流
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電流を流すと発光する半導体素子
発光ダイオード (LED)
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光センサは__を印可することで大きな__を形成し、光がそれに入射した時の変化を検知
逆方向電圧 空乏層
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既存の論理回路をより微細化・省電力化するためには__半導体のみで構成するのがよい
CMOS
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最新のiPhoneには約__億個の半導体が使われている
200
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半導体は世界で__兆円の産業規模である
100
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発光ダイオードは__％以上の高い光変換効率を誇る
40
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P側に正電圧、N側に負電圧を印加する接続方法
順方向バイアス
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P側に負電圧、N側に正電圧を印加する接続方法
逆方向バイアス
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電流の担い手となる電子や正孔
キャリア
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電子信号のスイッチングや増幅に用いられる半導体素子
トランジスタ
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トランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを放出する端子
エミッタ (Emitter)
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トランジスタの3つの端子の一つで、ベース電流によってコレクタ電流を制御する端子
ベース (Base)
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トランジスタの3つの端子の一つで、キャリアを受け取る端子
コレクタ (Collector)
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電子が多数キャリアであるバイポーラトランジスタの形式
NPN型トランジスタ
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正孔が多数キャリアであるバイポーラトランジスタの形式
PNP型トランジスタ
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ベースを共通端子として入出力信号を扱うトランジスタ回路構成
ベース接地
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エミッタを共通端子として入出力信号を扱うトランジスタ回路構成
エミッタ接地
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コレクタを共通端子として入出力信号を扱うトランジスタ回路構成
コレクタ接地
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10~100 10~100 1 10~100 同位相 逆位相 高い 低い 低い 低い 高い 高い
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デバイス上の部品数が約2年ごとに2倍になるという予測
ムーアの法則
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トランジスタの小信号特性を表すパラメータ群
hパラメータ
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hパラメータ 入力インピーダンス 帰還率 増幅率 出力アドミッタンス
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電界効果を利用して電流を制御するトランジスタ
FET (Field-Effect Transistor)
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FETの別名
ユニポーラトランジスタ
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電流を制御する素子で、高電圧に耐える特徴がある
バイポーラトランジスタ
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接合型電界効果トランジスタ
JFET
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金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ
MOSFET
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電力効率が高く高速で、コンピュータのロジック回路に適している
MOSFET
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ユーザーがプログラム可能な汎用集積回路
FPGA (Field-Programmable Gate Array)
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特定の用途に特化して設計された集積回路
ASIC (Application-Specific Integrated Circuit)
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複数の機能を統合した大規模集積回路
システムLSI
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半導体を使用し、コヒーレントな光を放出する装置
半導体レーザー
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半導体デバイスにおいて、発熱によりリーク電流がさらに増加し、素子が破壊される現象
熱暴走
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単位、__倍などは省略
英数字は半角
複数回答時は半角スペースの後に続けて打つこと