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抵抗率が小さく電気をよく通す物質
導体
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抵抗率が大きく電気を通しにくい物質
絶縁体
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抵抗率が導体と絶縁体の中間の物質
半導体
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銀、銅、ニッケル、水銀
導体
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ガラス、ゴム、マイカ、パラフィン、ポリエチレン
絶縁体
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ゲルマニウム、セレン、シリコン
半導体
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半導体で単体の元素の代表例２つ
シリコン、ゲルマニウム
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複数の元素でできた化合物半導体の代表例２つ
ガリウムヒ素、インジウムリン
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導体の抵抗率は温度が上昇すると（ ）する
増加
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半導体の抵抗率は温度が上昇すると（ ）する
減少
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原子核の周りに存在している、電子の層
電子殻
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１８族の元素を除き、最も外側の電子殻にある電子
価電子
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価電子など、外部からのエネルギーによって原子核との結びつきから用意に離れて移動するもの
自由電子
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各原子の価電子を互いに共有しながら規則正しく並んでいる構造
共有結合
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価電子が移動した時に、価電子が元にいた位置に残った孔のこ と
正孔
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自由電子と正孔の
電荷の運び手という意味の呼び名
キャリヤ
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エネルギーが与えられることによってキャリヤが生じること
キャリヤの発生
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シリコンやゲルマニウムの結晶の純度
9が12個も並ぶような純度
トゥエルブナインの純度
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単一元素からなる結晶のみで構成されるような半導体で、その元素以外の元素がまったく含まれていないもの
シリコンなど
真性半導体
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真性半導体には（ ）がないため電流は流れない
自由電子
実際は、光や熱のエネルギーの影響や、不純物半導体との接合による自由電子、正孔の乱入などにより、キャリヤが増えて電流が流れる
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真性半導体に不純物としてほかの原子をわずかに混ぜて利用している半導体
不純物半導体
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人工的に自由電子を作るために混入する不純物
ドナー
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自由電子の数が正孔の数より多い半導体
ドナーが混入
n形半導体
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人工的に正孔を作るために混入する不純物
アクセプタ
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正孔の数が自由電子の数より多い半導体
アクセプタが混入
p形半導体
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数の多い方のキャリヤ
n形半導体だと自由電子
多数キャリヤ
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数の少ない方のキャリヤ
n形半導体だと正孔
少数キャリヤ
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半導体に電界を加えると、正孔は電界の向き、自由電子はその逆の向きにそれぞれ移動する現象
ドリフト
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ドリフトによって流れる電流
ドリフト電流
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半導体において、キャリヤの濃度勾配があると濃度の高い部分から低い部分に向かってキャリヤの移動が行われること
拡散
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拡散によってキャリヤが流れる事により流れる電流
拡散電流
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熱や光などのエネルギーによって発生した半導体内の自由電子と正孔が一定時間のうちに互いに結合して消滅する現象
キャリヤの再結合
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p形とn形の領域が接した構造
pn接合
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p型領域とn型領域 両方の領域が接している面
接合面
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相手領域へ移動したキャリヤ
注入キャリヤ
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PN接合でみられる、キャリアがほとんどなく、電気的に絶縁された領域のこと
空乏層
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空乏層を形成させる、金属と半導体の接合
ショットキー接合
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PN接合部に電流が流れる際に接合部が発光するダイオード
pn接合ダイオード
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pn接合ダイオードのp形に接続された端子
アノード
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pn接合ダイオードのn形に接続された端子
カソード
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この図記号の左側の部分
アノード
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この図記号の右側の部分
カソード
極性表示の黒い部分はカソードを示している
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pn接合のp形が正、n形が負となるような電圧
順電圧
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順電圧が増加すると、それに従い増加する電流
順電流
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n形が正、p形が負となるような電圧
逆電圧
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少数キャリヤが逆電圧によって移動することで流れる僅かな電流
逆電流
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pn接合において流れやすい電流
順電流
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pn接合において流れにくい電流
逆電流
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pn接合の順電流が流れやすく、逆電流は流れにくいという性質
整流作用
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逆電圧を大きくしていくと、ある電圧で急に大きな逆電流が流れ始める現象
降伏現象
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降伏現象で大きな逆電流が流れ始めたときの電圧
降伏電圧
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ショットキー接合ダイオードで金属に接続された端子
アノード
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ショットキー接合ダイオードで半導体に接続された端子
カソード
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ダイオードは電源回路の（ ）として用いられる
ダイオードの利用
整流用
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高周波信号から信号成分を取り出す回路
ダイオードの利用
検波回路
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順電圧、逆電圧によって電流が流れたり、流れなかったりすることを利用して、信号をオン・オフする電子的な回路
ダイオードの利用
スイッチング回路
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逆電圧、電流特性の急激な降伏現象を利用したダイオード
定電圧ダイオード
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定電圧ダイオードの別名
ツェナーダイオード
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電流の広い範囲に渡って電圧が一定になる特性を持つ電圧
降伏電圧の別名
ツェナー電圧
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順方向に電圧を加えた際に発光するダイオード
発光ダイオード
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光を電気信号に変える素子
フォトダイオード
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ダイオードのpn接合面に光を当てると発生する起電力
光起電力
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図Aのトランジスタ
pnp形トランジスタ
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図Bのトランジスタ
npn形トランジスタ
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トランジスタの各半導体から引き出された3つの端子の内、Cと表されるもの
コレクタ
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トランジスタの各半導体から引き出された3つの端子の内、Bと表されるもの
ベース
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トランジスタの各半導体から引き出された3つの端子の内、Eと表されるもの
エミッタ
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トランジスタの各端子に加わる直流電圧と電流を定めたときの関係を示したもの
トランジスタの静特性
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小さな信号を、電子回路を通して大きな信号として取り出すこと
増幅
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エミッタ接地トランジスタのコレクタ電流とベース電流の比
直流電流増幅率
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ベース電流を流さないときは、コレクタ電流も流れないときの状態
カタカナの方
オフ状態
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ベース電流を流さないときは、コレクタ電流も流れないときの状態
漢字の方
遮断状態
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ベース電流を増やしていくとコレクタ電流も増えていくが、あるところでコレクタ電流が増えずに一定となる状態
飽和状態
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飽和状態のときのトランジスタの状態を何というか
オン状態
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トランジスタのオン、オフの2つの状態を作る作用
スイッチング作用
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コレクタ電流とコレクタ、エミッタ間電圧の積
コレクタ損失
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FET
電界効果トランジスタ
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FETの3つの端子の内、Dと表すもの
ドレーン
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FETの3つの端子の内、Gと表すもの
ゲート
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FETの3つの端子の内、Sと表すもの
ソース
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入力電流によって出力電流を制御する形
トランジスタ
電流制御形
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入力電圧によって出力電流を制御する形
FET
電圧制御形
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ゲートの働き
キャリヤの流れを制御する
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ソースの働き
キャリヤを注入する
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ドレーンの働き
キャリヤを収集する
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整流作用のある半導体素子でシリコン整流子に制御電極を付加したもの
サイリスタ
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ゲートに制御電流を流すと、アノードとかソードの間に電流が流れること
ターンオン
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アノードとカソードの間に電流を流さないようにアノードカソード間の電圧を０にすること
ターンオフ
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ベース部に照射された光により生じる電流を、増幅して取り出すことができるトランジスタ形の光電変換素子
フォトトランジスタ
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自動点滅器などに利用する半導体素子
光の照射によって抵抗が変化する
光導電セル
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磁気や電流の検出に利用する半導体素子
半導体片の4面にリード線をつけ電流の方向と垂直に磁界を加えると電圧が発生する
ホール素子
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温度計などに利用する半導体素子
温度によって抵抗が変化する
サーミスタ
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光導電セルの特性
光の照射によって抵抗が変化する
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ホール素子の特性
半導体片の4面にリード線をつけ（ ）に（ ）を加えると電圧が発生する
電流の方向と垂直、磁界
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サーミスタの特性
温度によって抵抗が変化する
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トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの素子から構成される回路
IC
集積回路
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電子回路制作の際、ICを使うと、ICを使わない場合に比べて（ ）が少なくすむ
部品点数
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ICの大きさと重量
小型軽量
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ICの消費電力の大きさ
小さい
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ICを用いるとどんな動作が可能化
高速動作
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ICは個別部品の組み合わせより、（ ）が高い
構造上の信頼性
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ICには（ ）の（ ）や（ ）は制作が難しい
回答
○○○、〇〇、○○○
大容量、コンデンサ、コイル
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ICを扱う前には、絶縁が破壊されてしまう恐れがあるので、アースに触れて人体の（ ）を逃がす必要がある
静電気
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ICはのはんだ付けの際は、ハンダゴテの（ ）でICを破壊しないよう素早く作業する必要がある
熱
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ICは、周囲温度が（ ）になると特性の劣化や寿命の低下をもたらす
高温
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ICの消費電力の大きな素子には（ ）対策をする必要がある
放熱
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ICはの放熱対策の方法を２つあげよ
放熱器、強制空冷
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抵抗値と静電容量値で規定されている標準数列であるE24系列を全て答えよ
例： 1、2、4、10
10、11、12、13、15、16、18、20、22、24、27、30、33、36、39、43、47、51、56、62、68、75、82、91
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